MDE Semiconductor, Inc. MSMBJ40A
TVS DIODE UP 40VRWM 64.5VC
メーカー品番 :MSMBJ40A
メーカーです :MDE Semiconductor, Inc.
Dasenic Part :MSMBJ40A-DS
ドキュメント :
MSMBJ40A ドキュメント
MSMBJ40A ドキュメント顧客カスタム :
説明する : TVS DIODE UP 40VRWM 64.5VC DO-214AA, SMB
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 1.1124 | $ 11.12 |
| 900+ | $ 0.9270 | $ 834.3 |
在庫: 1552
MOQ :1 PCS
パッケージ :DO-214AA, SMB
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 1.1124
合計 :$ 1.11
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MSMBJ40A 情報
MDE Semiconductor, Inc. MSMBJ40A 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Circuit Protection Devices/TVS - Diodes
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:DO-214AA, SMB
- タイプ:Zener
- 周波数に対する静電容量:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:SMB (DO-214AA)
- 一方向チャネル:1
- 電圧 - 逆スタンドオフ（標準）:40V
- 電圧 - 破壊（最小）:44.4V
- 電圧 - クランプ（最大）@ Ipp:64.5V
- 電流 - ピークパルス (10/1000µs):9.3A
- パワー - ピークパルス:600W
- 電力線保護:No
- 双方向チャネル:-
- アプリケーション:General Purpose
MSMBJ40A 提供 MDE Semiconductor, Inc.
MDE Semiconductor, Inc. は、回路保護製品に一心に注力する、革新的で品質志向のデバイス製造業者です。当社の過渡電圧サプレッサ ダイオード製品は、雷、静電放電 (ESD)、核電磁パルス (NEMP)、誘導スイッチングの破壊的な影響から電子システムを保護するために特別に設計されています。すべてのシリコン デバイスは、当社の有名な低リーク ガラス パッシベーション プロセスで製造されており、400 ワットから最大 288,000 ワットの高エネルギー吸収能力を備えています。TVS (過渡電圧サプレッサ ダイオード) 製品に注力している当社は、通信、自動車、コンピューター、産業用電子機器など、幅広い市場をカバーする要件について豊富な知識を持っています。MDE Semiconductor, Inc. は回路保護製品の市場リーダーであり、標準過渡電圧サプレッサ ダイオードの幅広いオプションと高電流 TVS ダイオード、サイリスタ、バリスタをお客様に提供しています。当社の製造施設は ISO 9001:2015 に準拠しています。
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