IXYS IXDD509D1T/R

Name: IXDD509D1T/R
Brand: IXYS
SKU: IXDD509D1T/R-DS
Availability: InStock
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メーカー品番 :IXDD509D1T/R
メーカーです :IXYS
Dasenic # :IXDD509D1T/R-DS
ドキュメント : IXDD509D1T/R ドキュメント PDF
説明する : IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
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IXYS IXDD509D1T/R 技術仕様、属性、パラメータ。

カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers

製品ステータス:Obsolete

パッケージ/ケース:6-VDFN Exposed Pad

動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)

電圧供給:4.5V ~ 30V

入力タイプ:Non-Inverting

チャネルタイプ:Single

ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

ドライバー数:1

上昇/下降時間(標準):25ns, 23ns

駆動構成:Low-Side

ロジック電圧- V I L V I H:0.8V, 2.4V

電流ピーク出力(ソースシンク):9A, 9A

EU RoHS ステータス:RoHS Compliant

REACH規則:Vendor is not defined

輸出規制分類番号:Provided as per user requirements

中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

IXDD509D1T/R は IXYS によって提供されています

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。