IXYS IXDD604SIA
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
- メーカー品番 :IXDD604SIA
- メーカーです :IXYS
- Dasenic Part :IXDD604SIA-DS
- ドキュメント :
IXDD604SIA ドキュメント - 説明する : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
- パッケージ :-
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| 数量 | 単価 | 合計 |
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IXYS IXDD604SIA 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 125°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
入力タイプ:Non-Inverting
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
電圧 - 供給:4.5V ~ 35V
チャンネルタイプ:Independent
駆動構成:Low-Side
ドライバー数:2
ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:4A, 4A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
上昇/下降時間（標準）:9ns, 8ns
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8542.39.0001
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXDD604SIA
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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