IXYS IX4351NE
MOSFET IGBT SIC DRIVER 9A
メーカー品番 :IX4351NE
メーカーです :IXYS
Dasenic Part :IX4351NE-DS
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IX4351NE ドキュメント
IX4351NE ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET IGBT SIC DRIVER 9A
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 1.8810 | $ 1.88 |
| 10+ | $ 1.7100 | $ 17.1 |
| 50+ | $ 1.5570 | $ 77.85 |
| 100+ | $ 1.4040 | $ 140.4 |
| 250+ | $ 1.3500 | $ 337.5 |
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IX4351NE 情報
IXYS IX4351NE 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- 入力タイプ:CMOS, TTL
- サプライヤーデバイスパッケージ:16-SOIC-EP
- 電圧 - 供給:-10V ~ 25V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:1
- ゲートタイプ:IGBT, SiC MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:1V, 2.2V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:9A, 9A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:10ns, 10ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IX4351NE 提供 IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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