IXYS FII50-12E

Name: FII50-12E
Brand: IXYS
SKU: FII50-12E-DS
Availability: InStock
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メーカー品番 :FII50-12E
メーカーです :IXYS
Dasenic # :FII50-12E-DS
ドキュメント : FII50-12E ドキュメント PDF
説明する : IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
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IXYS FII50-12E 技術仕様、属性、パラメータ。

カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Arrays

製品ステータス:Obsolete

動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)

取り付けタイプ:Through Hole

パッケージ/ケース:i4-Pac™-5

パワー - 最大:200 W

サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS i4-PAC™

構成:Half Bridge

入力:Standard

電流 - コレクター ( Ic) (最大):50 A

電圧 - コレクターエミッター破壊 (最大):1200 V

電流 - コレクターカットオフ（最大）:400 µA

I G B Tタイプ:NPT

Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.6V @ 15V, 30A

入力容量 ( Cies) @ Vce:2 nF @ 25 V

N T Cサーミスタ:No

モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

REACH規則:REACH Unaffected

輸出規制分類番号:EAR99

HTS 米国:8541.29.0095

EU RoHS ステータス:RoHS Compliant

中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

FII50-12E は IXYS によって提供されています

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。