ISSI® IS49RL18640-093EBLI
RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x18, C
メーカー品番 :IS49RL18640-093EBLI
メーカーです :ISSI®
Dasenic Part :IS49RL18640-093EBLI-DS
ドキュメント :
IS49RL18640-093EBLI ドキュメント
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説明する : RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x18, C
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IS49RL18640-093EBLI 情報
ISSI® IS49RL18640-093EBLI 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:168-LBGA
- テクノロジー:RLDRAM 3
- サプライヤーデバイスパッケージ:168-FBGA (13.5x13.5)
- メモリサイズ:1.152Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.28V ~ 1.42V
- クロック周波数:1.066 GHz
- アクセス時間:8 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 記憶の組織化:64M x 18
- パッケージ:Bulk
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS49RL18640-093EBLI 提供 ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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