ISSI® IS43R86400E-5TL
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz
メーカー品番 :IS43R86400E-5TL
メーカーです :ISSI®
Dasenic Part :IS43R86400E-5TL-DS
ドキュメント :
IS43R86400E-5TL ドキュメント
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説明する : 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 7+ | $ 0.8073 | $ 5.65 |
| 10+ | $ 0.7670 | $ 7.67 |
| 100+ | $ 0.7266 | $ 72.66 |
| 500+ | $ 0.6863 | $ 343.15 |
| 1000+ | $ 0.6458 | $ 645.8 |
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IS43R86400E-5TL 情報
ISSI® IS43R86400E-5TL 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- テクノロジー:DRAM
- シリーズ:Bulk
- 取り付けタイプ:0°C ~ 70°C (TA)
- 動作温度:2.3V ~ 2.7V
- 電圧供給:700 ps
- メモリサイズ:SDRAM - DDR
- メモリタイプ:Not Verified
- クロック周波数:SSTL_2
- アクセス時間:15ns
- メモリフォーマット:Volatile
- メモリインターフェース:64M x 8
- 記憶の整理:512Mbit
- 書き込みサイクル時間-ワードページ:200 MHz
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43R86400E-5TL 提供 ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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