ISSI® IS43LD32128B-18BLI-TR
4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 5
メーカー品番 :IS43LD32128B-18BLI-TR
メーカーです :ISSI®
Dasenic Part :IS43LD32128B-18BLI-TR-DS
ドキュメント :
IS43LD32128B-18BLI-TR ドキュメント
IS43LD32128B-18BLI-TR ドキュメント顧客カスタム :
説明する : 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 5
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 13.2570 | $ 13.26 |
| 25+ | $ 12.9960 | $ 324.9 |
| 100+ | $ 12.4650 | $ 1246.5 |
| 500+ | $ 11.9340 | $ 5967 |
| 1000+ | $ 11.2680 | $ 11268 |
在庫: 6000
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 13.257
合計 :$ 13.26
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
IS43LD32128B-18BLI-TR 情報
ISSI® IS43LD32128B-18BLI-TR 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:134-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
- サプライヤーデバイスパッケージ:134-TFBGA (10x11.5)
- メモリサイズ:4Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- クロック周波数:533 MHz
- アクセス時間:5.5 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:HSUL_12
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- 記憶の組織化:128M x 32
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LD32128B-18BLI-TR 提供 ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
ISSI® 関連製品す
/0b1a4a68251888013a955caffce872fd.jpg)
/cad6f38f615c25ea7ac257c2eff8ef8d.jpg)
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
/IS62WV10248DBLL-55TLI.JPG)
