Inventchip IV1Q12160T4
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
- メーカー品番 :IV1Q12160T4
- メーカーです :Inventchip
- Dasenic Part :IV1Q12160T4-DS
- ドキュメント :
IV1Q12160T4 ドキュメント - 説明する : SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 15.147合計 : $ 15.15
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 1596
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 15.1470 | $ 15.15 |
| 30 + | $ 9.9342 | $ 298.03 |
| 120 + | $ 15.1470 | $ 1817.64 |
引用を要求
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
Inventchip IV1Q12160T4 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-4
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
消費電力（最大）:138W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:195mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.9V @ 1.9mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:43 nC @ 20 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:885 pF @ 800 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
Vgs (最大):+20V, -5V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Inventchip IV1Q12160T4
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
Inventchip 関連商品のおすすめ
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
IV1Q12160T4 類似製品
評価とレビュー
評価
製品を評価してください！
アカウントにログイン後、コメントを送信してください。
