Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
メーカー品番 :IGB01N120H2ATMA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :IGB01N120H2ATMA1-DS
ドキュメント :
IGB01N120H2ATMA1 ドキュメント
IGB01N120H2ATMA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 2.5422 | $ 25.42 |
| 1000+ | $ 1.6948 | $ 1694.8 |
| 2000+ | $ 1.6101 | $ 3220.2 |
| 5000+ | $ 1.5496 | $ 7748 |
| 10000+ | $ 1.4983 | $ 14983 |
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単価 :$ 2.5422
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IGB01N120H2ATMA1 情報
Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Last Time Buy
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:28 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO263-3-2
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):3.2 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.8V @ 15V, 1A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):3.5 A
- エネルギーの切り替え:140µJ
- ゲートチャージ:8.6 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:13ns/370ns
- テスト条件:800V, 1A, 241Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IGB01N120H2ATMA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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