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Infineon Technologies FF1000R17IE4BOSA1

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Infineon Technologies FF1000R17IE4BOSA1 技術仕様、属性、パラメータ。

カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 150°C
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Module
パワー - 最大:6250 W
サプライヤーデバイスパッケージ:Module
構成:2 Independent
入力:Standard
電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1700 V
電流 - コレクターカットオフ(最大):5 mA
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.45V @ 15V, 1000A
入力容量 ( Cies) @ Vce:81 nF @ 25 V
N T Cサーミスタ:Yes
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FF1000R17IE4BOSA1 は Infineon Technologies によって提供されています
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。

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評価とレビュー
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John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

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Mike R.

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