Infineon Technologies BFR193WH6327XTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
メーカー品番 :BFR193WH6327XTSA1
メーカーです :Infineon Technologies
Dasenic Part :BFR193WH6327XTSA1-DS
ドキュメント :
BFR193WH6327XTSA1 ドキュメント
BFR193WH6327XTSA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 25+ | $ 0.0990 | $ 2.48 |
| 100+ | $ 0.0759 | $ 7.59 |
| 200+ | $ 0.0706 | $ 14.12 |
| 500+ | $ 0.0644 | $ 32.2 |
| 1000+ | $ 0.0617 | $ 61.7 |
在庫: 30050
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.099
合計 :$ 0.10
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
BFR193WH6327XTSA1 情報
Infineon Technologies BFR193WH6327XTSA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SC-70, SOT-323
- パワー - 最大:580mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-SOT323
- トランジスタタイプ:NPN
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):80mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):12V
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:70 @ 30mA, 8V
- 周波数 - 遷移:8GHz
- ノイズ指数 (d B 標準 @ f):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 得:10.5dB ~ 16dB
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0075
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BFR193WH6327XTSA1 提供 Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
Infineon Technologies 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
