GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258
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- メーカー品番 :GA50JT06-258
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic # :GA50JT06-258-DS
- ドキュメント : GA50JT06-258 ドキュメント PDF
- 説明する : TRANS SJT 600V 100A TO258
- パッケージ :-
- 単価: $1155.0000合計: $1155.00
| 数量 | 単価 | 節約 |
|---|---|---|
| 1-10 | $1,155.0000 | - |
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GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 225°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-258-3, TO-258AA
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-258
消費電力（最大）:769W (Tc)
F E Tタイプ:-
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:25mOhm @ 50A
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
Vgs (最大):-
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GA50JT06-258 は GeneSiC Semiconductor によって提供されています
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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評価とレビュー
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John D.
Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
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Sarah M.
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Mike R.
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