GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247
TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
- メーカー品番 :GA03JT12-247
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Part :GA03JT12-247-DS
- ドキュメント :
GA03JT12-247 ドキュメント - 説明する : TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
- パッケージ :-
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10 + | $ 13.7250 | $ 137.25 |
| 1260 + | $ 9.1500 | $ 11529.00 |
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GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AB
消費電力（最大）:15W (Tc)
F E Tタイプ:-
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A (Tc) (95°C)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:460mOhm @ 3A
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
Vgs (最大):-
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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