GeneSiC Semiconductor GA01PNS80-220
RF DIODE PIN 8000V
メーカー品番 :GA01PNS80-220
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :GA01PNS80-220-DS
ドキュメント :
GA01PNS80-220 ドキュメント
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説明する : RF DIODE PIN 8000V
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GA01PNS80-220 情報
GeneSiC Semiconductor GA01PNS80-220 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - RF
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- パッケージ/ケース:Axial
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 電流 - 最大:2 A
- ダイオードタイプ:PIN - Single
- 電圧 - ピーク逆電圧（最大）:8000V
- 静電容量 @ Vr、 F:4pF @ 1000V, 1MHz
- 抵抗 @ If、 F:-
- 消費電力（最大）:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GA01PNS80-220 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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