GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K
750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
メーカー品番 :G3R60MT07K
メーカーです :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Part :G3R60MT07K-DS
ドキュメント :
G3R60MT07K ドキュメント
G3R60MT07K ドキュメント顧客カスタム :
説明する : 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 9.3600 | $ 9.36 |
| 10+ | $ 8.1810 | $ 81.81 |
| 30+ | $ 7.7130 | $ 231.39 |
| 120+ | $ 7.4160 | $ 889.92 |
| 270+ | $ 7.2090 | $ 1946.43 |
在庫: 8334
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 9.36
合計 :$ 9.36
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
G3R60MT07K 情報
GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-4
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
- 消費電力（最大）:-
- F E Tタイプ:-
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):750 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3R60MT07K 提供 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
