GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA
TRANS SJT 650V 4A TO276
- メーカー品番 :2N7636-GA
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Part :2N7636-GA-DS
- ドキュメント :
2N7636-GA ドキュメント - 説明する : TRANS SJT 650V 4A TO276
- パッケージ :-
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GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 225°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-276AA
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-276
消費電力（最大）:125W (Tc)
F E Tタイプ:-
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc) (165°C)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:415mOhm @ 4A
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:324 pF @ 35 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
Vgs (最大):-
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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