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EPC EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
メーカー品番 :EPC2110
メーカーです :EPC
Dasenic Part :EPC2110-DS
ドキュメント :
EPC2110 ドキュメント
EPC2110 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 1.6200 | $ 16.2 |
| 2500+ | $ 0.9000 | $ 2250 |
在庫: 14885
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EPC2110 情報
EPC EPC2110 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:Die
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Source
- F E T機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):120V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.4A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:60mOhm @ 4A, 5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 700µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:0.8nC @ 5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:80pF @ 60V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0040
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EPC2110 提供 EPC
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) は、窒化ガリウム (GaN) ベースのパワーデバイスの開発と商品化を通じてパワーエレクトロニクス分野の発展に取り組んでいる最先端技術企業です。EPC は、パワーエレクトロニクス、半導体、ビジネス管理の専門家チームによって 2007 年に設立されました。設立以来、EPC は業界のリーダーとして認められ、既製の GaN ベースのパワートランジスタと集積回路の幅広いポートフォリオを提供しています。2009 年以降、同社の製品ラインは急速に拡大し、集積回路、自動車認定デバイス、耐放射線デバイスのファミリーが拡大しています。当社の製品は、民生用電子機器や自動車から再生可能エネルギーや宇宙まで、幅広い用途で使用されています。今日、世界中の大手企業が EPC と連携して、GaN の力で次世代テクノロジーを実現しています。
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