/MFG_EPC2100_EPC2101_EPC2105.jpg)
EPC EPC2101
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
メーカー品番 :EPC2101
メーカーです :EPC
Dasenic Part :EPC2101-DS
ドキュメント :
EPC2101 ドキュメント
EPC2101 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 9.6840 | $ 9.68 |
| 10+ | $ 6.6888 | $ 66.89 |
| 100+ | $ 9.6840 | $ 968.4 |
在庫: 1969
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 9.684
合計 :$ 9.68
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
EPC2101 情報
EPC EPC2101 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9.5A, 38A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
EPC2101 提供 EPC
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) は、窒化ガリウム (GaN) ベースのパワーデバイスの開発と商品化を通じてパワーエレクトロニクス分野の発展に取り組んでいる最先端技術企業です。EPC は、パワーエレクトロニクス、半導体、ビジネス管理の専門家チームによって 2007 年に設立されました。設立以来、EPC は業界のリーダーとして認められ、既製の GaN ベースのパワートランジスタと集積回路の幅広いポートフォリオを提供しています。2009 年以降、同社の製品ラインは急速に拡大し、集積回路、自動車認定デバイス、耐放射線デバイスのファミリーが拡大しています。当社の製品は、民生用電子機器や自動車から再生可能エネルギーや宇宙まで、幅広い用途で使用されています。今日、世界中の大手企業が EPC と連携して、GaN の力で次世代テクノロジーを実現しています。
EPC 関連製品す
/MFG_EPC2107_08.jpg)
/MFG_EPC2102_EPC2103_EPC2104.jpg)
/MFG_EPC2106_golden.jpg)
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
