Alliance Memory AS4C2M32S-6BIN
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
- メーカー品番 :AS4C2M32S-6BIN
- メーカーです :Alliance Memory
- Dasenic Part :AS4C2M32S-6BIN-DS
- ドキュメント :
AS4C2M32S-6BIN ドキュメント
- 説明する : IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 5.625合計 : $ 5.63
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- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
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在庫: 3450
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
数量 | 単価 | 合計 |
1 + | $ 5.6250 | $ 5.63 |
10 + | $ 4.6980 | $ 46.98 |
190 + | $ 4.1400 | $ 786.60 |
570 + | $ 3.9960 | $ 2277.72 |
1140 + | $ 3.7440 | $ 4268.16 |
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Alliance Memory AS4C2M32S-6BIN 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:90-TFBGA
テクノロジー:SDRAM
サプライヤーデバイスパッケージ:90-TFBGA (8x13)
メモリサイズ:64Mb (2M x 32)
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
クロック周波数:166 MHz
アクセス時間:5.4 ns
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:2ns
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Alliance Memory AS4C2M32S-6BIN
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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