Wolfspeed E4D02120E-TR
2A 1200V SIC AUTOMOTIVE DIODE
メーカー品番 :E4D02120E-TR
メーカーです :Wolfspeed
Dasenic Part :E4D02120E-TR-DS
ドキュメント :
E4D02120E-TR ドキュメント
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説明する : 2A 1200V SIC AUTOMOTIVE DIODE
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E4D02120E-TR 情報
Wolfspeed E4D02120E-TR 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):8A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 2 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:153pF @ 0V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
E4D02120E-TR 提供 Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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