Wolfspeed C3M0065090J-TR
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
メーカー品番 :C3M0065090J-TR
メーカーです :Wolfspeed
Dasenic Part :C3M0065090J-TR-DS
ドキュメント :
C3M0065090J-TR ドキュメント
C3M0065090J-TR ドキュメント顧客カスタム :
説明する : SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 15.6600 | $ 15.66 |
| 5+ | $ 13.1400 | $ 65.7 |
| 10+ | $ 12.4200 | $ 124.2 |
| 50+ | $ 9.4500 | $ 472.5 |
| 100+ | $ 9.1800 | $ 918 |
在庫: 8178
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C3M0065090J-TR 情報
Wolfspeed C3M0065090J-TR 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK-7
- 消費電力（最大）:113W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):900 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:35A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:78mOhm @ 20A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.1V @ 5mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:30 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:660 pF @ 600 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
- Vgs (最大):+19V, -8V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C3M0065090J-TR 提供 Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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