Wolfspeed C3M0025065K
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
メーカー品番 :C3M0025065K
メーカーです :Wolfspeed
Dasenic Part :C3M0025065K-DS
ドキュメント :
C3M0025065K ドキュメント
C3M0025065K ドキュメント顧客カスタム :
説明する : GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET TO-247-4
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| 30+ | $ 10.7614 | $ 322.84 |
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パッケージ :TO-247-4
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C3M0025065K 情報
Wolfspeed C3M0025065K 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-4
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4L
- 消費電力（最大）:326W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:97A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:34mOhm @ 33.5A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 9.22mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:112 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2980 pF @ 600 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
- Vgs (最大):+19V, -8V
C3M0025065K 提供 Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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