WeEn Semiconductors WNSC6D10650Q
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I
メーカー品番 :WNSC6D10650Q
メーカーです :WeEn Semiconductors
Dasenic Part :WNSC6D10650Q-DS
ドキュメント :
WNSC6D10650Q ドキュメント
WNSC6D10650Q ドキュメント顧客カスタム :
説明する : SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 2.7000 | $ 2.7 |
| 10+ | $ 1.8000 | $ 18 |
| 100+ | $ 1.6470 | $ 164.7 |
| 500+ | $ 1.3860 | $ 693 |
| 1000+ | $ 1.3770 | $ 1377 |
在庫: 7905
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 2.7
合計 :$ 2.70
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
WNSC6D10650Q 情報
WeEn Semiconductors WNSC6D10650Q 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AC
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):10A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.4 V @ 10 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 650 V
- 静電容量 @ Vr、 F:500pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:175°C
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
WNSC6D10650Q 提供 WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
WeEn Semiconductors 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
