WeEn Semiconductors PHD13003C,126
メーカー品番 :PHD13003C,126
メーカーです :WeEn Semiconductors
Dasenic Part :PHD13003C,126-DS
ドキュメント : PHD13003C,126 ドキュメント
顧客カスタム :
説明する : TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
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PHD13003C,126 情報
WeEn Semiconductors PHD13003C,126 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
- パワー - 最大:2.1 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-92-3
- トランジスタタイプ:NPN
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):1.5 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):400 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:1.5V @ 500mA, 1.5A
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):100µA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:5 @ 1A, 2V
- 周波数 - 遷移:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PHD13003C,126 提供 WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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