Vishay SI4922BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
メーカー品番 :SI4922BDY-T1-E3
メーカーです :Vishay
Dasenic Part :SI4922BDY-T1-E3-DS
ドキュメント :
SI4922BDY-T1-E3 ドキュメント
SI4922BDY-T1-E3 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 1.0453 | $ 10.45 |
| 2500+ | $ 0.5807 | $ 1451.75 |
在庫: 15403
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 1.0453
合計 :$ 1.05
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
SI4922BDY-T1-E3 情報
Vishay SI4922BDY-T1-E3 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:3.1W
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:16mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.8V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:62nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2070pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SI4922BDY-T1-E3 提供 Vishay
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
Vishay 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
