Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
メーカー品番 :XPH2R106NC,L1XHQ
Dasenic Part :XPH2R106NC,L1XHQ-DS
ドキュメント :
XPH2R106NC,L1XHQ ドキュメント
XPH2R106NC,L1XHQ ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 2.5290 | $ 2.53 |
| 10+ | $ 1.6398 | $ 16.4 |
| 100+ | $ 2.5290 | $ 252.9 |
| 500+ | $ 0.9136 | $ 456.8 |
| 1000+ | $ 0.8437 | $ 843.7 |
在庫: 10433
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 2.529
合計 :$ 2.53
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
XPH2R106NC,L1XHQ 情報
Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC,L1XHQ 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP Advance (5x5)
- 消費電力（最大）:960mW (Ta), 170W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:110A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.1mOhm @ 55A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:104 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:6900 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
XPH2R106NC,L1XHQ 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
