Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B,S1Q
SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
メーカー品番 :TW070J120B,S1Q
Dasenic Part :TW070J120B,S1Q-DS
ドキュメント :
TW070J120B,S1Q ドキュメント
TW070J120B,S1Q ドキュメント顧客カスタム :
説明する : SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
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TW070J120B,S1Q 情報
Toshiba Semiconductor and Storage TW070J120B,S1Q 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3P(N)
- 消費電力（最大）:272W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:36A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:90mOhm @ 18A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5.8V @ 20mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:67 nC @ 20 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1680 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
- Vgs (最大):±25V, -10V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TW070J120B,S1Q 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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