Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM,L1Q
MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
- メーカー品番 :TPH2R408QM,L1Q
- メーカーです :Toshiba Semiconductor and Storage
- Dasenic Part :TPH2R408QM,L1Q-DS
- ドキュメント :
TPH2R408QM,L1Q ドキュメント - 説明する : MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 1.1007合計 : $ 1.10
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 10811
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10 + | $ 1.1007 | $ 11.01 |
| 5000 + | $ 0.6115 | $ 3057.50 |
引用を要求
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM,L1Q 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:175°C
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP Advance (5x5)
消費電力（最大）:3W (Ta), 210W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:120A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.43mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:87 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:8300 pF @ 40 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM,L1Q
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連商品のおすすめ
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
TPH2R408QM,L1Q 類似製品
評価とレビュー
評価
製品を評価してください！
アカウントにログイン後、コメントを送信してください。
