Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
メーカー品番 :TPC8111(TE12L,Q,M)
Dasenic Part :TPC8111(TE12L,Q,M)-DS
ドキュメント :
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TPC8111(TE12L,Q,M) ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 1.5138 | $ 15.14 |
| 3000+ | $ 1.0092 | $ 3027.6 |
| 6000+ | $ 0.9611 | $ 5766.6 |
| 9000+ | $ 0.9168 | $ 8251.2 |
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TPC8111(TE12L,Q,M) 情報
Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111(TE12L,Q,M) 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP (5.5x6.0)
- 消費電力（最大）:1W (Ta)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:12mOhm @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:107 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5710 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPC8111(TE12L,Q,M) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
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