Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
メーカー品番 :TK9A90E,S4X
Dasenic Part :TK9A90E,S4X-DS
ドキュメント :
TK9A90E,S4X ドキュメント
TK9A90E,S4X ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 2.1870 | $ 2.19 |
| 10+ | $ 2.0430 | $ 20.43 |
| 25+ | $ 2.0250 | $ 50.63 |
| 50+ | $ 1.1610 | $ 58.05 |
| 100+ | $ 1.1070 | $ 110.7 |
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TK9A90E,S4X 情報
Toshiba Semiconductor and Storage TK9A90E,S4X 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
- 消費電力（最大）:50W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):900 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.3Ohm @ 4.5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 900µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:46 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2000 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK9A90E,S4X 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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