Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
メーカー品番 :TK3R3A06PL,S4X
Dasenic Part :TK3R3A06PL,S4X-DS
ドキュメント :
TK3R3A06PL,S4X ドキュメント
TK3R3A06PL,S4X ドキュメント顧客カスタム :
説明する : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 4.9000 | $ 4.9 |
| 50+ | $ 2.4048 | $ 120.24 |
| 100+ | $ 4.9000 | $ 490 |
| 500+ | $ 1.7350 | $ 867.5 |
| 1000+ | $ 1.5978 | $ 1597.8 |
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TK3R3A06PL,S4X 情報
Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3A06PL,S4X 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
- 消費電力（最大）:42W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:80A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.3mOhm @ 40A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 700µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:71 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5000 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK3R3A06PL,S4X 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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