Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
- メーカー品番 :TK3A65D(STA4,Q,M)
- メーカーです :Toshiba Semiconductor and Storage
- Dasenic Part :TK3A65D(STA4,Q,M)-DS
- ドキュメント :
TK3A65D(STA4,Q,M) ドキュメント - 説明する : MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
- パッケージ :-
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 1.6830 | $ 1.68 |
| 10 + | $ 1.5300 | $ 15.30 |
| 50 + | $ 0.9630 | $ 48.15 |
| 100 + | $ 0.8379 | $ 83.79 |
| 250 + | $ 0.7371 | $ 184.28 |
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Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M) 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
消費電力（最大）:35W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.25Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.4V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:11 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:540 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M)
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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