Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
メーカー品番 :TK33S10N1Z,LQ
Dasenic Part :TK33S10N1Z,LQ-DS
ドキュメント :
TK33S10N1Z,LQ ドキュメント
TK33S10N1Z,LQ ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 1.1970 | $ 1.2 |
| 10+ | $ 0.8955 | $ 8.96 |
| 25+ | $ 0.8910 | $ 22.28 |
| 100+ | $ 0.7200 | $ 72 |
| 250+ | $ 0.7182 | $ 179.55 |
在庫: 8872
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 1.197
合計 :$ 1.20
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
TK33S10N1Z,LQ 情報
Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK+
- 消費電力（最大）:125W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:33A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:9.7mOhm @ 16.5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 500µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:28 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2050 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK33S10N1Z,LQ 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
