Toshiba Semiconductor and Storage TK31A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
メーカー品番 :TK31A60W,S4VX
Dasenic Part :TK31A60W,S4VX-DS
ドキュメント :
TK31A60W,S4VX ドキュメント
TK31A60W,S4VX ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 6.8850 | $ 6.89 |
| 10+ | $ 6.7680 | $ 67.68 |
| 25+ | $ 6.0030 | $ 150.08 |
| 50+ | $ 3.7350 | $ 186.75 |
| 500+ | $ 3.3570 | $ 1678.5 |
在庫: 1548
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 6.885
合計 :$ 6.88
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
TK31A60W,S4VX 情報
Toshiba Semiconductor and Storage TK31A60W,S4VX 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
- 消費電力（最大）:45W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:Super Junction
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30.8A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:88mOhm @ 15.4A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.7V @ 1.5mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:86 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3000 pF @ 300 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK31A60W,S4VX 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
