Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
メーカー品番 :TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Dasenic Part :TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-DS
ドキュメント :
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説明する : MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
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| 10+ | $ 0.8748 | $ 8.75 |
| 100+ | $ 0.6138 | $ 61.38 |
| 500+ | $ 0.4977 | $ 248.85 |
| 1000+ | $ 0.4581 | $ 458.1 |
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 情報
Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK+
- 消費電力（最大）:27W (Tc)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:104mOhm @ 4A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:19 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:890 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):+10V, -20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
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