Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
- メーカー品番 :SSM6J216FE,LF
- メーカーです :Toshiba Semiconductor and Storage
- Dasenic Part :SSM6J216FE,LF-DS
- ドキュメント :
SSM6J216FE,LF ドキュメント - 説明する : MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 0.513合計 : $ 0.51
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 0.5130 | $ 0.51 |
| 10 + | $ 0.3231 | $ 3.23 |
| 100 + | $ 0.2106 | $ 21.06 |
| 500 + | $ 0.1611 | $ 80.55 |
| 1000 + | $ 0.1386 | $ 138.60 |
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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:150°C
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:ES6
消費電力（最大）:700mW (Ta)
F E Tタイプ:P-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):12 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4.8A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:32mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12.7 nC @ 4.5 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1040 pF @ 12 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.5V, 4.5V
Vgs (最大):±8V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.21.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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