Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV(TPL3)
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
メーカー品番 :SSM3K35MFV(TPL3)
Dasenic Part :SSM3K35MFV(TPL3)-DS
ドキュメント :
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SSM3K35MFV(TPL3) ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.1534 | $ 1.53 |
| 355+ | $ 0.1278 | $ 45.37 |
| 865+ | $ 0.1044 | $ 90.31 |
| 1330+ | $ 0.1017 | $ 135.26 |
| 1835+ | $ 0.0981 | $ 180.01 |
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SSM3K35MFV(TPL3) 情報
Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV(TPL3) 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-723
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:VESM
- 消費電力（最大）:150mW (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:180mA (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3Ohm @ 50mA, 4V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:9.5 pF @ 3 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.2V, 4V
- Vgs (最大):±10V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SSM3K35MFV(TPL3) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
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