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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU(TE85L)

MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
part number has RoHS
メーカー品番 :SSM3J108TU(TE85L)
Dasenic Part :SSM3J108TU(TE85L)-DS
顧客カスタム :
説明する : MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
数量単価合計
10+$ 0.4872$ 4.87
3000+$ 0.3248$ 974.4
6000+$ 0.3083$ 1849.8
9000+$ 0.2862$ 2575.8
30000+$ 0.2796$ 8388
在庫: 83
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.4872
合計 :$ 0.49
配達 :
dhlupsfedex
支払い :
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SSM3J108TU(TE85L) 情報

  • Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU(TE85L) 技術仕様、属性、パラメータ。
  • カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:3-SMD, Flat Leads
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:UFM
  • 消費電力(最大):500mW (Ta)
  • F E Tタイプ:P-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.8A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:158mOhm @ 800mA, 4V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1mA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:250 pF @ 10 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):1.8V, 4V
  • Vgs (最大):±8V
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.21.0095
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
SSM3J108TU(TE85L) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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