Toshiba Semiconductor and Storage RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
メーカー品番 :RN1110(T5L,F,T)
Dasenic Part :RN1110(T5L,F,T)-DS
ドキュメント :
RN1110(T5L,F,T) ドキュメント
RN1110(T5L,F,T) ドキュメント顧客カスタム :
説明する : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.5600 | $ 0.56 |
在庫: 2212
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.56
合計 :$ 0.56
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
RN1110(T5L,F,T) 情報
Toshiba Semiconductor and Storage RN1110(T5L,F,T) 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SC-75, SOT-416
- パワー - 最大:100 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SSM
- トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100nA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:120 @ 1mA, 5V
- 周波数 - 遷移:250 MHz
- 抵抗器 - ベース ( R1):4.7 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):-
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0075
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
RN1110(T5L,F,T) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
