Toshiba Semiconductor and Storage RN1109CT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
メーカー品番 :RN1109CT(TPL3)
Dasenic Part :RN1109CT(TPL3)-DS
ドキュメント :
RN1109CT(TPL3) ドキュメント
RN1109CT(TPL3) ドキュメント顧客カスタム :
説明する : TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
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RN1109CT(TPL3) 情報
Toshiba Semiconductor and Storage RN1109CT(TPL3) 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SC-101, SOT-883
- パワー - 最大:50 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:CST3
- トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):50 mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):20 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:150mV @ 250µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:100 @ 10mA, 5V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):47 kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):22 kOhms
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
RN1109CT(TPL3) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
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