Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
メーカー品番 :GT8G133(TE12L,Q)
Dasenic Part :GT8G133(TE12L,Q)-DS
ドキュメント :
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説明する : IGBT 400V 600MW 8TSSOP
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 3.5496 | $ 35.5 |
| 3000+ | $ 1.9720 | $ 5916 |
| 6000+ | $ 1.8978 | $ 11386.8 |
| 9000+ | $ 1.8350 | $ 16515 |
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GT8G133(TE12L,Q) 情報
Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q) 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:600 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSSOP
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):400 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.9V @ 4V, 150A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):150 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:1.7µs/2µs
- テスト条件:-
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GT8G133(TE12L,Q) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
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