Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E
D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
- メーカー品番 :GT30N135SRA,S1E
- メーカーです :Toshiba Semiconductor and Storage
- Dasenic Part :GT30N135SRA,S1E-DS
- ドキュメント :
GT30N135SRA,S1E ドキュメント - 説明する : D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 4.401合計 : $ 4.40
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在庫: 10800
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 4.4010 | $ 4.40 |
| 10 + | $ 2.9700 | $ 29.70 |
| 25 + | $ 2.5560 | $ 63.90 |
| 30 + | $ 2.5560 | $ 76.68 |
| 100 + | $ 2.0880 | $ 208.80 |
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Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:348 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):60 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1350 V
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.6V @ 15V, 60A
電流 - コレクタパルス ( Icm):120 A
エネルギーの切り替え:-, 1.3mJ (off)
ゲートチャージ:270 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:-
テスト条件:300V, 60A, 39Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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