Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-GR(TE85L,F
MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
メーカー品番 :2SK2145-GR(TE85L,F
Dasenic Part :2SK2145-GR(TE85L,F-DS
ドキュメント :
2SK2145-GR(TE85L,F ドキュメント
2SK2145-GR(TE85L,F ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.3771 | $ 3.77 |
| 3000+ | $ 0.2095 | $ 628.5 |
| 6000+ | $ 0.1949 | $ 1169.4 |
| 9000+ | $ 0.2095 | $ 1885.5 |
在庫: 9000
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.3771
合計 :$ 0.38
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
2SK2145-GR(TE85L,F 情報
Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-GR(TE85L,F 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - JFETs
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SC-74A, SOT-753
- パワー - 最大:300 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SMV
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:13pF @ 10V
- 電圧 - ブレークダウン ( V( B R) G S S):-
- 電流 - ドレイン ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):2.6 mA @ 10 V
- 消費電流 ( Id) - 最大:-
- 電圧 - カットオフ（ V G S オフ）@ Id:200 mV @ 100 nA
- 抵抗 - R D S(オン):-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
2SK2145-GR(TE85L,F 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
