Taiwan Semiconductor TSM80N1R2CI C0G
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
メーカー品番 :TSM80N1R2CI C0G
メーカーです :Taiwan Semiconductor
Dasenic Part :TSM80N1R2CI C0G-DS
ドキュメント :
TSM80N1R2CI C0G ドキュメント
TSM80N1R2CI C0G ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
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TSM80N1R2CI C0G 情報
Taiwan Semiconductor TSM80N1R2CI C0G 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:ITO-220AB
- 消費電力（最大）:25W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):800 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:5.5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.2Ohm @ 1.8A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:19.4 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:685 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TSM80N1R2CI C0G 提供 Taiwan Semiconductor
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
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