Taiwan Semiconductor TSM60NB041PW C1G
MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
メーカー品番 :TSM60NB041PW C1G
メーカーです :Taiwan Semiconductor
Dasenic Part :TSM60NB041PW C1G-DS
ドキュメント :
TSM60NB041PW C1G ドキュメント
TSM60NB041PW C1G ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 13.3830 | $ 13.38 |
| 25+ | $ 10.8346 | $ 270.87 |
| 100+ | $ 10.1971 | $ 1019.71 |
| 500+ | $ 9.2411 | $ 4620.55 |
| 1000+ | $ 8.4763 | $ 8476.3 |
在庫: 7452
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 13.383
合計 :$ 13.38
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
TSM60NB041PW C1G 情報
Taiwan Semiconductor TSM60NB041PW C1G 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247
- 消費電力（最大）:446W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:78A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:41mOhm @ 21.7A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:139 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:6120 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TSM60NB041PW C1G 提供 Taiwan Semiconductor
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
Taiwan Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
