STMicroelectronics STL18NM60N
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
メーカー品番 :STL18NM60N
メーカーです :STMicroelectronics
Dasenic Part :STL18NM60N-DS
ドキュメント :
STL18NM60N ドキュメント
STL18NM60N ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 4.2570 | $ 4.26 |
| 10+ | $ 2.8197 | $ 28.2 |
| 100+ | $ 4.2570 | $ 425.7 |
| 500+ | $ 1.6536 | $ 826.8 |
| 1000+ | $ 1.5417 | $ 1541.7 |
在庫: 8043
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 4.257
合計 :$ 4.26
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
STL18NM60N 情報
STMicroelectronics STL18NM60N 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PowerFlat™ (8x8) HV
- 消費電力（最大）:3W (Ta), 110W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.1A (Ta), 12A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:310mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:35 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1000 pF @ 50 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
STL18NM60N 提供 STMicroelectronics
1987年に設立されたSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM）は、日常生活の中心となる電子機器を動かすインテリジェントでエネルギー効率に優れた製品とソリューションを提供する世界的半導体リーダーです。STは、マイクロコントローラ、デジタルおよびアナログ集積回路、電源管理デバイス、MEMSセンサ、イメージングおよびオーディオソリューション、ワイヤレス接続ソリューションなど、幅広い半導体製品とソリューションの大手サプライヤーです。当社の技術は、よりスマートなモビリティ、より効率的な電力およびエネルギー管理、モノのインターネットおよび5G技術の広範な展開を可能にします。当社は、10万社のお客様と数千社のパートナーと協力して、お客様の課題と機会、そしてより持続可能な世界をサポートするニーズに対応する製品、ソリューション、エコシステムを設計および構築しています。STは、スイスのジュネーブに本社を置き、35か国以上で事業を展開する多国籍企業です。
STMicroelectronics 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
