Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
メーカー品番 :SCT2H12NYTB
メーカーです :Rohm Semiconductor
Dasenic Part :SCT2H12NYTB-DS
ドキュメント :
SCT2H12NYTB ドキュメント
SCT2H12NYTB ドキュメント顧客カスタム :
説明する : SICFET N-CH 1700V 4A TO268
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 3.5307 | $ 3.53 |
| 10+ | $ 2.8953 | $ 28.95 |
| 50+ | $ 2.2932 | $ 114.66 |
| 100+ | $ 2.1780 | $ 217.8 |
| 500+ | $ 2.0286 | $ 1014.3 |
在庫: 6369
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 3.5307
合計 :$ 3.53
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
SCT2H12NYTB 情報
Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268
- 消費電力（最大）:44W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.5Ohm @ 1.1A, 18V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 410µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14 nC @ 18 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:184 pF @ 800 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:18V
- Vgs (最大):+22V, -6V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SCT2H12NYTB 提供 ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
ROHM Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
