Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB1
NCH 30V 15A POWER MOSFET: RQ3E07
メーカー品番 :RQ3E070BNTB1
メーカーです :Rohm Semiconductor
Dasenic Part :RQ3E070BNTB1-DS
ドキュメント :
RQ3E070BNTB1 ドキュメント
RQ3E070BNTB1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : NCH 30V 15A POWER MOSFET: RQ3E07
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.7371 | $ 0.74 |
| 10+ | $ 0.4302 | $ 4.3 |
| 50+ | $ 0.2700 | $ 13.5 |
| 100+ | $ 0.2340 | $ 23.4 |
| 500+ | $ 0.1971 | $ 98.55 |
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RQ3E070BNTB1 情報
Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-HSMT (3.2x3)
- 消費電力（最大）:2W (Ta), 13W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:7A (Ta), 15A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:27mOhm @ 7A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:8.9 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:410 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RQ3E070BNTB1 提供 ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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