Rohm Semiconductor RD3G600GNTL
MOSFET N-CH 40V 60A TO252
メーカー品番 :RD3G600GNTL
メーカーです :Rohm Semiconductor
Dasenic Part :RD3G600GNTL-DS
ドキュメント :
RD3G600GNTL ドキュメント
RD3G600GNTL ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET N-CH 40V 60A TO252
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 1.2177 | $ 1.22 |
| 10+ | $ 0.9981 | $ 9.98 |
| 50+ | $ 0.6606 | $ 33.03 |
| 100+ | $ 0.6273 | $ 62.73 |
| 500+ | $ 0.5850 | $ 292.5 |
在庫: 8457
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 1.2177
合計 :$ 1.22
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
RD3G600GNTL 情報
Rohm Semiconductor RD3G600GNTL 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
- 消費電力（最大）:40W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:60A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3.6mOhm @ 60A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:46.5 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3400 pF @ 20 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RD3G600GNTL 提供 ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
ROHM Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
